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Typical Characteristics T C = 25°C unless otherwise noted
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
V GS = V DS , I D = 250 μ A
1.2
1.1
1.0
0.9
I D = 250 μ A
-80
-40
0 40 80 120 160
200
-80
-40
0 40 80 120 160
200
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
5000
C ISS = C GS + C GD
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
10
V DD = 30V
8
1000
C OSS ? C DS + C GD
6
C RSS = C GD
4
100
50
V GS = 0V, f = 1MHz
2
0
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
I D = 60A
I D = 10A
0.1
1 10
60
0
10
20 30
40
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
FDB14AN06LA0_F085 Rev. C
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